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治具調(diào)試注意事項(xiàng)
日期：2025-04-04 01:59
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摘要：
治具調(diào)試注意事項(xiàng)：
治具調(diào)試程序：
治具安裝->系統(tǒng)參數(shù)設(shè)置->Open/Short學(xué)習(xí)及測(cè)試->各種零件的調(diào)試->IC保護(hù)二極管的學(xué)習(xí)及測(cè)試->DiodeCheck的學(xué)習(xí)及測(cè)試->多聯(lián)片的拷貝->IC Open學(xué)習(xí)及測(cè)試。
測(cè)試資料文件偵錯(cuò)注意事項(xiàng):
1. 原則一: Stand_V與Actual_V相同(限于R,L,C), 萬不得已時(shí)才考慮修改;
2. 原則二: 量測(cè)值**而真實(shí),越接近Actual_V (主要指R,L,C及齊納電壓等)越好. 即Dev%越小越好(大多數(shù)應(yīng)在+/-3%以內(nèi)).
3. 原則三: 量測(cè)值越穩(wěn)定越好.按F8看測(cè)量值小數(shù)點(diǎn)前后的跳動(dòng)情況,或按F9,F10看統(tǒng)計(jì)分布圖. (重復(fù)測(cè)試同一塊板子10次以上,并在試產(chǎn)時(shí)測(cè)試不同的板子數(shù)十片以上,以檢驗(yàn)測(cè)試的穩(wěn)定性.而在量產(chǎn)初期要邊測(cè)試邊修改,更要定期查看或打印出*壞(Report ->Worst)零件統(tǒng)計(jì)表,進(jìn)行有針對(duì)性的修正,如此3天至一周以后,應(yīng)做到測(cè)試非常穩(wěn)定.)
4. 原則四: 省時(shí),即省去多余延時(shí)或通過改用其它模式,設(shè)置隔離點(diǎn)等以達(dá)到省時(shí)目的. 其前提是須保證測(cè)量值**而真實(shí),穩(wěn)定.
5. 在測(cè)試資料文件偵錯(cuò)前，必需先進(jìn)行短路點(diǎn)學(xué)習(xí)，因?yàn)槭褂米詣?dòng)尋找隔離點(diǎn)功能時(shí)會(huì)用到短路點(diǎn)資料。
6. 特大電容在Open/Short學(xué)習(xí)時(shí),可能會(huì)學(xué)成Short,而大電感則反之.
7. 隔離點(diǎn)的選擇,通過按F7或ALT+F7,或者加適當(dāng)延時(shí)等修改后再按F7或ALT+F7由系統(tǒng)自動(dòng)完成,絕大多數(shù)可達(dá)到效果.經(jīng)驗(yàn)表明,隔離點(diǎn)太多,測(cè)量值可能不穩(wěn)定. 一般選擇0~2個(gè)隔離點(diǎn)可以滿足要求,并且隔離點(diǎn)的選擇一般僅隔離一面.如果按F7或ALT+F7后,系統(tǒng)選擇的隔離點(diǎn)太多,則要重新作自動(dòng)隔離,以找到一種隔離點(diǎn)較少且測(cè)量****的方案.
8. 一般而言,以電流源當(dāng)信號(hào)源測(cè)試的R是以相接組件較少的一端作為高點(diǎn),而以電壓源當(dāng)信號(hào)源測(cè)試的C,L,R//C,R//L則是以相接組件較少的一端作為低點(diǎn).按ALT+F7可作自動(dòng)選擇隔離點(diǎn)而不互換高低點(diǎn).
9. 對(duì)于不穩(wěn)定的步驟,考慮設(shè)RPT為5/D(Discharge需要一定時(shí)間).
10. 大電阻并聯(lián)大電容: 為確?？煽康臏y(cè)出缺件,RPT不超過2為宜或者不設(shè)置. 釆用HIGH SPEED MODER//C，測(cè)量值較不穩(wěn)定，宜將+/-Lm%設(shè)為30左右。
11. 有加重測(cè)功能的步驟，其測(cè)試值是分布在上限邊緣或是在下限邊緣的則不必去修改。因?yàn)闇y(cè)試值若是在良品范圍之外，系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)進(jìn)行重測(cè)(連續(xù)的重測(cè)亦會(huì)起到延時(shí)的效果)。而延遲時(shí)間加得太長，會(huì)影響到測(cè)試時(shí)間。
12. 關(guān)于“-1”的使用場合: +/-Lm%可設(shè)為“-1”,以忽略其限制. 經(jīng)驗(yàn)表明,以下幾種情況不提倡使用“-1”.
a) 小電阻(如1.0~2OHM), -Lm%勿取-1(0電阻除外),要確保能測(cè)出連錫短路;
因過小的電阻一般在Open/Short測(cè)試時(shí),無法檢出連錫.
b) DIODE反向壓降測(cè)試, +Lm%勿取-1,因探針接觸不佳開路時(shí),電壓降更大;
c) 電容極性測(cè)試, -Lm%勿取-1,因探針接觸不佳開路時(shí),電流會(huì)更小.
雖然因探針接觸不佳開路時(shí),DIODE的正向測(cè)試或電容容值會(huì)FAIL,但RETRY時(shí)僅就**步驟進(jìn)行再測(cè)試.
13. 對(duì)于無法準(zhǔn)確測(cè)試的情形,比如:大電阻并聯(lián)大電容,過小的小電容等,可考慮修改Stand_V和放大+/-Lm%而保留測(cè)試.無論如何,不要釆取刪略(Skip)的下策. 雖然有時(shí)這顆組件既便漏件也不可測(cè),但并不表示錯(cuò)成其它任何組件都不可測(cè).
14. 據(jù)時(shí)間常數(shù)τ=RC,且系統(tǒng)對(duì)大電阻提供的電流源會(huì)比小電阻小,故在整個(gè)網(wǎng)絡(luò)中,大電阻須延時(shí)的機(jī)會(huì)會(huì)比小電阻多. 遇大電阻,按F7學(xué)習(xí)后,如得到的測(cè)量值不甚接近實(shí)際值或者不穩(wěn)定,則可設(shè)DLY為10或以上,再按F7學(xué)習(xí).如果延時(shí)須要太久,可考慮釆用HIGH SPEED MODER//C.
15. 在線路圖和零件表上沒有列出電感值的電感，可以按下F8鍵，以所量到的電感值當(dāng)做標(biāo)準(zhǔn)值。對(duì)于感值在mH級(jí)以上的電感(包括變壓器,繼電器等線圈),均補(bǔ)增R模式測(cè)試,且延時(shí)必須為10以上,亦考慮設(shè)RPT為5或D,使其呈現(xiàn)為較小電阻(此為防范選錯(cuò)針號(hào),以及更確保測(cè)出內(nèi)部開路的必要步驟).
16. 所有電感,包括變壓器(Transformer),繼電器(Relay),高壓包(LOT)等線圈,原則均宜采用電感(L)模式測(cè)試,以確保測(cè)出短路或者錯(cuò)件及**。有些電感測(cè)試能力較差的品牌，往往將其當(dāng)作跳線或者小電阻來測(cè)試，僅能測(cè)出開路。
17. 選擇低頻(MODE1)測(cè)試小電感時(shí),同小電阻類似,測(cè)量值受探針接觸電阻影響較大,可將上限適當(dāng)放寬至50以上.
18. 關(guān)于電容極性測(cè)試, 一般可按如下方法試之:
i. 設(shè)ACT_V為5~10V, (初設(shè)9V,試之不佳,再考慮將其改為5V等.)
ii. MODE為6 (<20mA) (一般電流越大越好)
iii. STD_V為0.2~0.5mA (此設(shè)定以可完全準(zhǔn)確測(cè)出插反為準(zhǔn),可更大些.)
iv. HI-PIN為電容陽極
v. LO-PIN為電容陰極.
vi. -LM% 可設(shè)至60~90.
19. 作為旁路的小電容,一般上限充許較大誤差, 確保*低值滿足要求即可. 精度要求非常高的電容另慮.
20. 對(duì)于100pF以下的小電容,如果不穩(wěn)定,上限可寬至40~80.
21. 對(duì)于3nF以下的電容,按F7學(xué)習(xí)失敗,可試蓍在Offset設(shè)定200,500,2000等等,再按F7學(xué)習(xí),如在生產(chǎn)中欲重新學(xué)習(xí),*好先去除Offset,再按如前所述試之.
22. 大電容有時(shí)會(huì)遭誤判，可以將該大電容的高低點(diǎn)互換試之。對(duì)于40uF以上的電容,按F7學(xué)習(xí)釆用MODE4測(cè)試,如果測(cè)量值不接近實(shí)際值,可將MODE改為8再試.因大電流充電,其充電曲線較陡.
23. 所有二極管均釆用正,反向雙步測(cè)試.以更確保測(cè)出插反或錯(cuò)件,乃至組件**.具體方法:
按CTRL+ENTER插入一步后,分別將Stand_V設(shè)置為9.9V, MODE為1, RPT為5/D, 如并聯(lián)大電容,則要足夠延時(shí).再按F8得Meas_V, 然后以Meas_V修改Stand_V, 設(shè)+/-Lm%為20~30(不提倡使用-1).
24. 對(duì)于SMD板,在參數(shù)設(shè)置時(shí),要注意一般不要讓ICT加到UUT的電壓超過3V(一般IC的工作電壓)左右為宜.
25. 對(duì)于計(jì)算機(jī)主板,宜增加一步VCC與GND之間的電阻測(cè)試,并加足夠的延時(shí).
TR518/TR518FE/TR518FR/TR518FV/TR5001機(jī)器RCL等器件的調(diào)試技術(shù)
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